氮化镓射頻半導體設備市場的詳細分析當前業內人士預測增長到2026 |克裏族,三星、英飛淩、Qorvo MACOM

最新行業研究報告對全球氮化镓射頻半導體設備市場研究報告2020年深入分析市場的國家和全球競爭格局。

氮化镓射頻半導體設備市場報告提供信息關於市場規模,市場份額,趨勢、增長、成本結構、全球市場競爭格局,市場驅動,挑戰和機遇,能力,收入,和2025年預測。這份報告還包括的整體和綜合研究氮化镓射頻半導體設備市場與影響其所有方麵的增長市場。這份報告是氮化镓的詳盡的定量分析射頻半導體器件行業和提供數據進行策略提高市場增長和有效性。

本研究還分析了市場地位,市場份額,增長率,未來趨勢,市場驅動,機遇和挑戰,風險和進入壁壘、銷售渠道、經銷商和波特的五種力量分析。

報告的範圍:

報告評估增長率和市場價值根據市場動態,增長誘導因素。完整的知識是基於最新的行業新聞,機會,和趨勢。報告包含一個全麵的市場分析和供應商景觀除了關鍵供應商的SWOT分析。

關於這個詢價報告:

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下麵的關鍵球員在氮化镓射頻半導體器件市場:克裏族(美國)、三星(韓國),英飛淩(德國)、Qorvo(美國),MACOM(美國)、微芯科技(美國),模擬設備(美國)、三菱電機(日本),高效的電力轉換(美國),氮化镓係統(加拿大),Exagan(法國),VisIC技術(以色列),Integra技術(美國),Transphorm(美國),Navitas半導體(美國),日亞化學(日本),鬆下(日本)、德州儀器(美國)等等。

行業新聞:2018年4月12日

克裏族Nexperia氮化镓功率專利許可證

達拉謨,北卡羅來納州——克裏族,inc .)宣布,它簽署了一項排他性的,在世界範圍內,與Nexperia BV royalty-bearing專利許可協議,一家荷蘭公司。協議提供了對克裏族Nexperia訪問廣泛的氮化镓(GaN)電力設備專利組合,其中包括在300年發行的美國和外國專利描述發明方麵的高電子遷移率晶體管(HEMT)和氮化镓肖特基二極管設備。投資組合地址小說設備結構、材料和加工改進,和包裝技術。專利許可涉及不轉讓技術。

“克裏族成立開發新穎的化合物半導體材料GaN和碳化矽和創建設備,利用其獨特的屬性,”約翰·Palmour說克裏族的共同創始人兼首席技術官Wolfspeed, Cree公司。“克裏族現在幾十年的創新產生設備,使市場新的電源管理和無線係統的介紹。幫助促進這些新市場的增長,克裏族許可其氮化镓功率設備GaN電源管理係統的專利。”

本報告部分的氮化镓射頻半導體器件市場類型的基礎上:

2英寸
4英寸
6英寸及以上
其他人

的基礎上,應用程序中,氮化镓射頻半導體器件市場劃分為:

電力驅動
供應和逆變器
無線電頻率
照明和激光
其他人

利用獨家折扣:(20%)

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區域前景:區域覆蓋報告的氮化镓射頻半導體設備市場

北美(美國、加拿大和墨西哥),亞太地區(中國、印度、日本、韓國、澳大利亞、印度尼西亞、馬來西亞、菲律賓、泰國、越南),歐洲(德國、法國、英國、意大利、俄羅斯、歐洲其他國家),中美洲和南美洲(巴西,南美的),和中東和非洲(GCC國家、土耳其、埃及、南非、其他)。

強調了以下關鍵因素:

-業務描述:詳細描述公司的業務和業務部門。
-公司戰略:分析總結公司的商業策略。
——SWOT分析:詳細分析公司的優勢,劣勢,機會和威脅。
-公司曆史:進展與公司有關的重要事件。
-主要產品和服務:主要產品列表,服務和品牌的公司。
-主要競爭對手:主要競爭對手公司的列表。
-重要的位置和子公司:一個列表和詳細聯係方式的關鍵位置和公司的子公司。
過去五年的詳細財務比率:-最新的財務比率來自年度財務報表發布的公司有5年的曆史。

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