氮化镓半導體器件的主要趨勢

氮化镓半導體設備市場有望達到224.7億美元到2023年從2016年的165億美元,從2017年到2023年的複合年增長率為4.6%。

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是怎樣的潛在使用氮化镓5 g基礎設施將作為市場的一個機會呢?
商業發射5克到2021年,幾個主要國家,如美國,日本,韓國,英國,德國和中國預計部署5 g技術,環保,使有效的溝通。這種技術支持的綜合數據率預計將1000倍和100倍的速度比現有的3 g和4 g技術的數據傳輸速率,分別。5 g技術的應用也將大大提高手機用戶的數量,從而創建一個要求發展基礎設施,可以有效地處理這些數據請求。

因此,5 g基礎設施的開發和部署為GaN設備預計將導致需求增加。2017年2月,Verizon宣布計劃部署高速大型固定5 g飛行員28 GHz樂隊的試運行服務(測試)選擇客戶在11個市場。含羞草網絡推出了商用和可行的5 g固定無線互聯網架構(MicroPoP城市和農村GigaPoP)。它還提供其服務在下麵的光譜6 GHz和頻譜重用工作同步(SRS)技術。

目前,氮化镓是常用的小細胞,分布式天線係統(DAS)和遠程無線網絡致密化。在未來,它將取代小細胞5 g網絡應用程序需要高頻和名義實現成本。

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獲得更深的潛水在特定應用程序中,地理、客戶或競爭對手。
如何設計複雜性GaN設備將作為市場的一個挑戰嗎?
甘權力和射頻設備的設計複雜性作為挑戰他們的設計師努力提高這些設備的效率,同時保持其成本低,結構不太複雜。
此外,不同應用程序的不同需求進一步增加力量和甘射頻設備的設計複雜性。效率大幅提高電池產品的操作時間,從而減少無線基站的電力消耗和其他類似的應用程序。2015年9月,英飛淩科技公司推出了一個新係列的氮化镓SiC歐洲微波功率晶體管。本係列提供了增加帶寬,提高功率密度,和高效來支持未來蜂窩基礎設施,也就是說,5 g的移動基站發射機。

增加甘采用射頻半導體器件在軍事、國防、航空航天應用
使用射頻功率增加軍事、國防和航天應用程序充當司機對氮化镓半導體設備市場的增長。功率設備的使用在航空電子設備和雷達係統引發的需求GaN射頻半導體器件在軍事,國防,航空航天應用在全球範圍內。2015年3月,M / com技術解決方案公司推出了650 W GaN碳化矽high-electron-mobility-transistor (HEMT) l波段脈衝航空電子設備的應用程序。

日益激烈的競爭從高壓半導體碳化矽的應用程序
碳化矽(Sic)電力半導體器件,自2001年推出商業水平,一直試圖穿透功率半導體器件市場在全球範圍內取代純矽。這些設備提供改進的功率效率和先進的功率處理能力的電力整流、功率因數校正、功率放大和電力傳輸。高壓範圍的應用程序中,碳化矽半導體器件的最佳選擇的功率效率和性能比GaN同行。例如,媒介之間的邊界線電壓和高電壓,從700 v到1200 v, GaN設備的效率大大降低。因此,碳化矽功率半導體器件的偏好在氮化镓功率半導體器件在電力應用中充當一個克製的氮化镓半導體設備市場的增長。

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