應用單片Transistor-Rectifier電力設備

誕生的半導體、先鋒和全球供應商廣泛的功率半導體碳化矽(SiC)今天宣布的1200 v 75 mΩ應用單片(單片)Transistor-rectifier電力設備行業標準包裝,使極低刺激能源和反向恢複損失,同時提供靈活、模塊化設計高頻電源轉換器。

寬的帶隙材料、碳化矽、氮化镓等有吸引力的替代傳統的矽功率半導體開關為他們提供潛在的100倍切換速度,較高的擊穿電壓,高操作接點溫度和低功率損失。然而,這些寬的帶隙材料的一些性質並沒有充分利用目前的解決方案是更高的操作頻率在係統級帶來許多挑戰。結合功率晶體管和結勢壘肖特基整流器(JBS)功能整合到一個單獨的芯片上允許的最大利用碳化矽材料的固有性質和結果以前所未有的改善切換性能通過減少參與包裝和互連寄生電感的離散功率晶體管和整流器。

誕生的創新特性的SiC double-implanted金屬氧化物半導體(DMOSFET)設備結構與JBS整流集成到SiC DMOSFET單元細胞。這個領先的電源設備可以用於各種功率轉換電路在下一代的能源存儲、汽車、工業和可再生能源係統。

發生的操作允許電力電子係統的開關頻率高四倍,從而使設計比例較小的大小的磁性元件如電感和變壓器;通常電力電子硬件的笨重的組件。其他顯著的優勢包括更有效的雙向性能,降低切換和傳導損失,減少冷卻需求,易於並聯設備和成本效益。它不僅帶來重大的技術突破,但也減少了碳化矽材料總排放量50%。廣泛使用的這部小說SiC設備將導致年度節能40%以上。

“誕生的應用單片transistor-rectifier開關是實現工業設計和製造最低的使用狀態(傳導)和開關損失功率密度增加。這種先進的技術承諾範例的表現像h橋電路和基於多級逆變器要求寬禁帶的設備。”誕生的半導體總裁Ranbir辛格博士說。

GR75MT12K
1200 v 75 mΩ應用單片Transistor-Rectifier權力分立

——行業標準包和開爾文源連接
——議員™單片集成肖特基二極管DMOSFET芯片
——Merged-PiN-Schottky (MPS)為增強第三象限操作
——減少刺激能源和反向恢複的損失
——更高的功率密度

誕生的先驅和世界領導人在碳化矽技術,同時投資於大功率矽技術。全球領先製造商的工業和國防係統依靠誕生的技術來提高產品的性能和效率。誕生的技術起著關鍵的作用在各種大功率節能係統。我們的技術支持可再生能源的有效獲取。誕生的電子元件運行冷卻器,更快,更經濟。我們領先的專利寬的帶隙功率器件技術;市場預計將在2022年達到10億美元。我們的核心競爭力是增加客戶的最終產品的價值。我們的性能和成本指標在碳化矽行業製定標準。

羅伯特Siddle
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